增特科技供应TI/德州高频4A同步MOSFET驱动器芯片TPS28225DRBR
封装：SON8
最少包装：3000片/盘
库存数量：30K(深圳、大批量订货12周)
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产品描述：
TPS28 225是N沟道互补驱动功率MOSFET的高速驱动器，具有自适应死区控制。该驱动器被优化用于各种高电流一和多相DC-DC转换器。TPS28 225是一种提供高效率、小尺寸和低EMI辐射的解决方案。效率达到高达8至8 V门驱动器电压，14 ns自适应死区控制，14 ns传播延迟和高电流2-A源和4A接收器驱动能力。下栅极驱动器的0.4-阻抗将功率MOSFET的栅极保持在阈值以下，并确保在高dV/dt相节点转变时没有直通电流。
产品描述：
•用14 ns驱动两个N沟道MOSFET
•自适应死区时间
•宽栅极驱动电压：4.5 V至8.8 V
•7 V至8 V的最佳效率
•宽电力系统列车输入电压：3伏至27伏
•宽输入PWM信号：2 V至132 V振幅
•能够驱动具有超过40A电流的每相MOSFET
•高频操作：14 ns的传播Delay和10 ns的上升/下降时间允许FSW 2 MHz
•能够传播30 ns的输入PWM脉冲
•低侧驱动器陷阱导通电阻(0.4_)电压，14ns自适应死区时间控制，14ns防止dV/dT相关贯通电流
•功率级关机的三态PWM输入
•节省空间使能（输入）和Power Good（输出）信号在同一引脚
•热关断
•UVLO保护
•内部自举二极管
•经济SOIC-8和热增强3mm×3mm DFN-8封装
•高性能替换流行的3态输入驱动程序
